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高真空CVD系统(三温区)

CNT高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。※产品结构高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。1、沉底材料可采用铜......

高真空CVD系统(三温区)

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  • 产品详情

产品用途

CNT高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

产品用途

产品结构

高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

高真空CVD系统(三温区)

1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

2、生长腔体采用进口高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

3、加热腔体采用进口陶瓷纤维加热器,均温区200mm、对开式结构;

4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;

5、气路系统采用三路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

6、真空系统采用分子泵机组;

7、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块;

8、可选配RF射频电源模块;

9、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6

10、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制.

11、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。

细节展示

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技术参数

参数名称 单 位 型 号
GCVD3-10-12 GCVD3-15-12 GCVD3-200-12 GCVD3-250-12 GCVD3-300-12
额定功率 KW 9 12 15 21 27
额定电压 V 380
工作温度 1100
冷态真空度 Pa 6x10-4pa
加热区长度 mm L=900mm
恒温区长度 mm L=650mm
石英管尺寸 直径 Φ100 Φ150 Φ200 Φ250 300
长度 L=2000(可根据实际需要非标订做),炉体不移动的为1500mm
沉底材料   铜箔、石墨等
气路系统   3路质量流量计(可拓展多路)
炉膛材料 V 进口陶瓷纤维
加热元件   HRE
升温速率 ℃/min ≤30℃/min
控温精度 ±1℃
炉体移动   移动距离约600mm(如有需要、需要提出)
外形尺寸 不配滑轨 2000×600×1450 2000×650×1500 2000×700×1550 2000×750×1600  
配滑轨 3000×600×1450 3000×650×1500 3000×700×1550 3000×750×1600  
重  量   281kg 320kg 370kg 410kg 460kg
气路系统   采用三路质量流量计、精确控制气体的流量、(可扩展至多路)
生长腔体   采用进口高纯石英管、配石英支架、方便气体更好的流入
真空系统   采用分子泵机组,真空度可达 6x10-4pa
加热炉体   采用进口的陶瓷纤维,提供一个高温环境。炉体配超静音滑轨、可移动炉体
控制系统   采用10寸触摸屏或工控机自动控制,模块采用西门子plc模块,自动手动可随意切换
RF射频电源 选配 RF射频电源可降低石墨烯的生长温度。射频频率:13.56MHz功率输出范围:5~500W
冷水系统 选配 采用闭环冷却系统,冷却系统循环压力1.2-1.7(bar),制冷量  4200K/car/hr,出口温度可调(5-35℃);冷凝器为翅片结构,水箱容积40L,制冷剂采用环保型。
尾气处理系统 选配 采用燃烧、喷淋水洗的办法,有效去除PH3、GeH4、B2H6 等气体产生的有毒有害气体
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