等离子体增强沉积炉
CNT等离子体增强沉积炉是专业生长高质量石墨烯、碳纳米管、二维硫化钼的专用设备，也可用用于碳化硅、金属薄膜、陶瓷薄膜其他材料的生长，已经广泛应用于航空航天、微电子、生物医药、纳米材料等领域。
※产品结构：
等离子体增强沉积炉主要由预热炉（用于气体预热、固体原料蒸发）、等离子射频发生器、高温生长腔体、石英管、石英支架、气路系统、真空系统、自动化控制系统、冷却系统等组成。
1、预热炉可以给进入真空腔体的气体或材料提前预热、固体原料蒸发，预热温度范围室温～8 00℃（可根据工艺的实际需要进行调整）；
2、等离子射频发生器,输出功率 5 -500W可调 ，频率：13.56 MH
3、生长腔体采用进口高纯石英管，配石英支架，
4、加热腔体采用进口陶瓷纤维加热器，均温区200mm、对开式结构；
5、加热炉体配有移动滑轨，可左右移动；
6、密封法兰均采用不锈钢材质，配水冷套，可连续长时间工作；
7、气路系统采用多路质量流量计,配预混系统；
8、真空系统采用机械泵，可选配扩散泵或分子泵机组；
9、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块；
10、气体种类：N2、H2、CH4、C 2H4D、 He/Ar 、C2H2、 NH3 、N2, H2、 PH3 、GeH4、 B2H6 等
11、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制，通过PC实时控制和显示相关的实验参数，自动保存实验参数，也可采用手动控制;
12、系统采用集成化设计，控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部，占地面积小。整体安装四个可移动轮子，方便整体移动。
|
参数名称 |
单 位 |
型 号 |
||||||||
|
PECVD-6-12 |
PECVD-8-12 |
PECVD-10-12 |
PECVD-15-12 |
PECVD-200-12 |
||||||
|
额定功率 |
KW |
5 |
5 |
5 |
9 |
12 |
||||
|
额定电压 |
V |
220 |
380 |
|||||||
|
工作温度 |
℃ |
≤1100℃ |
||||||||
|
冷态真空度 |
Pa |
真空度：10pa （标配机械泵） |
||||||||
|
可选配分子泵机组 真空度可达 6x10-3pa |
||||||||||
|
预热区长度 |
mm |
200mm |
||||||||
|
预热区温度 |
℃ |
室温～800℃ |
||||||||
|
加热区长度 |
mm |
L=450mm |
||||||||
|
恒温区长度 |
mm |
L=200mm |
||||||||
|
石英管尺寸 |
直径 |
Φ60 |
Φ80 |
Φ100 |
Φ150 |
200 |
||||
|
长度 |
L=1500(直径和长度可根据实际需要非标订做) |
|||||||||
|
等离子射频发生器 |
1、输出功率: 5 -500W可调 2、稳定性为：+/-1% 3、射频电源频率：13.56 MH 4、最大反向功率: 200W 5、射频电源电子输出口: 50 Ω, N型半导体 , 阴极 |
|||||||||
|
气路系统 |
|
3路质量流量计（可拓展多路） |
||||||||
|
炉膛材料 |
V |
进口陶瓷纤维 |
||||||||
|
加热元件 |
|
HRE |
||||||||
|
升温速率 |
℃/min |
≤30℃/min |
||||||||
|
控温精度 |
℃ |
±1℃ |
||||||||
|
炉体移动 |
|
加热炉配有静音滑轨、可左右移动 |
||||||||
|
外形尺寸 |
配滑轨 |
1850×600 × 1450 |
1850×600 × 1450 |
1850×600 × 1450 |
1850×650 × 1500 |
|
||||
|
重 量 |
|
180kg |
210kg |
260kg |
280kg |
320kg |
||||
|
气路系统 |
|
采用三路质量流量计、精确控制气体的流量
|
||||||||
|
生长腔体 |
|
采用进口高纯石英管、配石英支架、方便气体更好的流入 |
||||||||
|
真空系统 |
|
配机械泵、为二维材料生长提供一个低真空环境，配手动微调阀，可保持低压环境 |
||||||||
|
加热炉体 |
|
采用进口的陶瓷纤维，提供一个高温环境。炉体配超静音滑轨、可移动炉体 |
||||||||
|
控制系统 |
|
采用10寸触摸屏或工控机自动控制，模块采用西门子plc模块，自动手动可随意切换 |
||||||||
|
冷水系统 |
选配 |
采用闭环冷却系统，冷却系统循环压力1.2-1.7(bar)，制冷量 4200K/car/hr，出口温度可调（5-35℃）；冷凝器为翅片结构，水箱容积40L，制冷剂采用环保型。 |
||||||||
